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摘要:
随着硅外延片在器件制造领域应用的不断扩展,对用于制作器件的外延片的要求也越来越高,其中最重要的是准确控制外延层电阻率及其均匀性.由于衬底自掺杂与系统杂质因素的影响,使得外延层电阻率的控制十分困难,同时电阻率均匀性也大大降低.通过对外延生长过程中外延层表面气体边界层的原理进行分析,提出了变流量吹扫工艺,减少边界层中杂质浓度,制备出电阻率均匀性好的外延片.
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文献信息
篇名 桶式外延炉吹扫工艺改善外延层电阻率均匀性的研究
来源期刊 甘肃科技 学科 工学
关键词 变流量吹扫 硅外延 电阻率 边界层 自掺杂
年,卷(期) 2013,(6) 所属期刊栏目 研究与探讨
研究方向 页码范围 34-36
页数 3页 分类号 TM23
字数 1836字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 薛兵 中国电子科技集团公司第四十六研究所 13 24 3.0 4.0
2 殷海丰 中国电子科技集团公司第四十六研究所 4 2 1.0 1.0
3 玉文林 中国电子科技集团公司第四十六研究所 1 1 1.0 1.0
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2018(1)
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研究主题发展历程
节点文献
变流量吹扫
硅外延
电阻率
边界层
自掺杂
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
甘肃科技
半月刊
1000-0952
62-1130/N
大16开
兰州市平凉路531号
54-77
1987
chi
出版文献量(篇)
27440
总下载数(次)
43
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