功率MOSFET寄生振荡的研究

• 作者: 王凯 赵跃华
• 来源期刊: 电子设计工程
• 学科: 工学
• 关键词: 功率MOSFET 等效电容 驱动电阻 寄生振荡
• 年，卷（期）: 2013,（24）
• 所属期刊栏目: 电力电子技术
• 页码范围: 118-120,123
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2445字
• 语种: 中文

摘要

针对MOSFET易产生寄生振荡的问题,在分析振荡与驱动电路各参数之间关系的基础上,通过加入合适的驱动电阻来解决该振荡问题,从而保证MOSFET能在高速应用场合的可靠运行.该方法具有实现简单、成本低廉、安全可靠的特点.经过1000W纯正弦波逆变器设计应用,实验波形表明驱动电路的合理性和有效性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵跃华		83	418	11.0	13.0
2	王凯		70	1101	19.0	31.0