一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器设计

• 作者: 刘洪刚 周仁杰 王虹
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 工学
• 关键词: LTE InGaP/GaAs HBT 射频功率放大器 1 dB压缩点 功率增益 功率附加效率
• 年，卷（期）: 2013,（20）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 5801-5805
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.11
• 字数: 2490字
• 语种: 中文

摘要

基于WIN InGaP/GaAs HBT工艺,设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器.工作在AB类偏置状态,由三级放大电路级联构成,并带有温度补偿和线性化的偏置电路.芯片版图面积为1 410×785 μm2,电源电压为3.4V.仿真结果显示:功率增益大于30.1 dB、1 dB压缩点输出功率为31.2 dB·m,在Band 38 (2 570 ～2 620) MHz内,输入回波损耗S11小于-15 dB,S21大于30.1 dB,输出回波损耗S22低于-25 dB,1 dB压缩点输出功率的功率附加效率高达36.6％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周仁杰	中国科学院微电子研究所	4	3	1.0	1.0
2	刘洪刚	中国科学院微电子研究所	10	17	3.0	4.0
3	王虹	中国科学院微电子研究所	6	24	3.0	4.0