氧化法结合快速热处理制备VOx薄膜及其性质研究

• 作者: 后顺保 吕志军 武斌 胡明 高旺
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 氧化钒薄膜 相变特性 快速热处理 THz调制
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 487-493
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.018104

摘要

采用磁控溅射法在单晶Si〈100〉基底上沉积金属钒(V)薄膜,在高纯氧环境下快速热处理制备具有相变特性的氧化钒(VOx)薄膜.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱和扫描电子显微镜对薄膜结晶结构、薄膜中V的价态与组分及表面微观形貌进行分析,应用四探针测试方法和太赫兹时域频谱技术对样品的电学和光学特性进行测试.结果表明:在一定范围的快速热处理保温温度和保温时间下,都可以制备出具有热致相变特性的氧化钒薄膜,相变前后薄膜的方块电阻变化超过两个数量级,薄膜成分主要由V2O5和VO2混合组成,薄膜中V整体价态不因热处理条件改变而不同.在快速热处理条件范围内,500℃ 25 s左右条件下(中温区)制备出的氧化钒薄膜相变特性最佳,并且对THz波有一定的调制作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	后顺保	天津大学电子信息工程学院	6	18	3.0	4.0
3	武斌	天津大学电子信息工程学院	3	7	2.0	2.0
4	吕志军	天津大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0
5	高旺	天津大学电子信息工程学院	2	5	1.0	2.0