快速热处理制备相变氧化钒薄膜及其特性研究

• 作者: 后顺保 吕志军 梁继然 武斌 胡明 高旺
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 快速热处理 磁控溅射 氧化钒薄膜 相变特性
• 年，卷（期）: 2012,（18）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 519-525
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

采用直流对靶磁控溅射在Si（100）基底上沉积金属V薄膜，然后分别在纯氧气环境和纯氮气环境下进行快速热处理制备具有金属一半导体相变特性的氧化钒（VOx）薄膜，热处理条件分别为纯氧气环境下430℃／40s．450℃／40S，470℃／40S，450℃／30S，450℃／50S，纯氮气环境下500℃／15S．用x射线衍射仪、X射线光电子能谱、原子力显微镜和扫描电子显微镜对薄膜的结晶结构、钒的价态和组分以及微观形貌进行分析．利用四探针薄膜电阻测量方法和THz时域频谱技术分析薄膜的电学特性和光学特性．结果表明：金属v薄膜经过纯氧气环境450℃／40S快速热处理后形成了具有低相变特性的VOx薄膜，升温前后薄膜方块电阻变化幅度达到两个数量级，THz透射强度变化幅度较小．为了提高薄膜的相变特性，对制备的VOx薄膜采用纯氮气环境500℃／15S快速热处理，薄膜的相变特性有了明显提升，相变前后方块电阻变化达到3个数量级，THz透射强度变化达到56．33％．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡明	天津大学电子信息工程学院	139	1336	19.0	28.0
2	梁继然	天津大学电子信息工程学院	31	108	6.0	8.0
3	后顺保	天津大学电子信息工程学院	6	18	3.0	4.0
4	武斌	天津大学电子信息工程学院	3	7	2.0	2.0
5	吕志军	天津大学电子信息工程学院	5	11	2.0	3.0
6	高旺	天津大学电子信息工程学院	2	5	1.0	2.0