长等待时间下铜互连线形成球状缺陷的机理研究及解决方案

• 作者: 呼翔 彭坤 王飚 罗登贵
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 铜互连 等待时间 球状缺陷 器件失效 正交实验
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 微机电系统
• 页码范围: 51-55
• 分类号: TN306|TN305.96
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-6030.2014.01.009

摘要

随着集成电路向高密度小尺寸方向发展,铜互连已成为目前集成电路主要使用的互连技术,但球状缺陷的形成会影响产品的质量.本文研究了长等待时间下铜互连线中球状缺陷的形成机理,分析了其造成器件失效的原因,并提出了相应的解决方案.研究显示,前道工序应力残留致铜晶界处应变再结晶是这种形式球状缺陷形成的主要原因.球状缺陷会使两层金属之间形成额外通孔,从而引起短路或漏电,导致器件失效.最后提出了相应的解决方案,通过正交实验发现铜电镀退火温度降低50℃,氮化硅淀积速率降低1 nm/s,氮化硅的膜厚提高10 nm能够有效改善这一现象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王飚	昆明理工大学机电工程学院	26	164	7.0	12.0
2	彭坤	昆明理工大学机电工程学院	5	22	1.0	4.0
6	呼翔		1	0	0.0	0.0
7	罗登贵		1	0	0.0	0.0