大尺寸TFT-LCD ECCP刻蚀工艺低耗整合

• 作者: 姚立红 张定涛 李伟 李文彬 袁明 郑云友
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 低耗 钼刻蚀 阴极耦合离子 试验设计
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 材料物理和化学
• 页码范围: 7-14
• 页数: 8页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 3195字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20142901.0007

摘要

为简化大尺寸液晶面板四次光刻法的刻蚀工艺、减少有毒气体使用、降低射频功率消耗,在2 200 mm×2 500 mm大尺寸玻璃上,采用正交实验设计,验证了功率、气压、反应气体和比例等参数对各刻蚀步骤刻蚀速率、均一性和选择比的影响关系,从而得到各膜层的最佳工艺条件.在Enhance Cathode Couple Plasma Mode(ECCP)刻蚀模式下,采用新刻蚀条件合并薄膜晶体管有源区非晶硅、光刻胶、湿刻后源极和漏极剩余金属钼以及沟道非晶硅层干法刻蚀.利用扫描电子显微镜(SEM)对薄膜电学特性进行测试,结果显示,金属钼的刻蚀可以采用一次两步干法刻蚀,“2干2湿”刻蚀可以整合为“1干1湿”.整合后总刻蚀工艺时间减少16s,减少了氯气使用量和RF总功率.试验改进了均一性和刻蚀率,同时对于下底衬具有良好的选择比,保持了良好的形貌,为大批量“1干1湿”生产提供了依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚立红		22	113	5.0	10.0
2	李文彬		116	1196	16.0	29.0
3	张定涛		3	9	2.0	3.0
5	李伟		9	14	3.0	3.0
6	郑云友		6	25	4.0	4.0
9	袁明		2	8	2.0	2.0