乙醇对低磨料CMP过程中铜膜凹凸处去除速率选择性的影响

• 作者: 刘玉岭 卜小峰 李炎 王傲尘
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光 乙醇 速率选择性 静态腐蚀 乙酸乙酯
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 表面工程研究
• 页码范围: 95-101
• 分类号: TG175
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-9289.2014.02.016

摘要

根据相似相容原理,在低磨料浓度CMP过程中,利用乙醇对多羟多胺螯合剂的降黏特性来提高铜膜表面凹凸处抛光速率的选择性.根据抛光液中各组分浓度对动态和静态条件下铜膜去除速率的影响获得乙醇加入量的最大值;通过螯合剂、氧化剂与乙醇对动静态条件下铜膜去除速率的相互作用关系来确定各组分的最佳浓度.最终得出当各组的体积分数为:磨料0.5％,螯合剂10％,H2O2 0.5％,乙醇1％时,铜膜表面拥有最大的凸处和凹处速率比.在MIT 854铜布线片上进行平坦化试验,结果表明:该抛光液能够很大程度的减小布线表面的高低差,拥有较强的平坦化能力.红外光谱检测结果表明:在CMP过程中,铜膜表面不会生成副产物乙酸乙酯.上述结果进一步证实了该抛光液的实用性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子技术与材料研究所	263	1540	17.0	22.0
2	李炎	河北工业大学微电子技术与材料研究所	15	30	3.0	4.0
3	王傲尘	河北工业大学微电子技术与材料研究所	5	11	2.0	3.0
4	卜小峰	河北工业大学微电子技术与材料研究所	3	6	2.0	2.0