双态应力薄膜整合的CMOS开关特性与可靠性研究

• 作者: 张彬 简维廷 陈险峰
• 来源期刊: 中国集成电路
• 关键词: 双态应力氮化硅薄膜 CMOS 开关特性 热载流子注入 负偏压温度不稳定性
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺
• 页码范围: 64-69
• 页数: 6页
• 字数: 2077字
• 语种: 中文

摘要

本文采用优化的多循环离子体增强化学气相薄膜淀积工艺,在不影响器件的热载流子注入(hot-carrier Injection,HCI)和负偏压温度不稳定性(Negative Bias Temperature Instability,NBTI)的前提下,改善半导体器件的开关特性.我们以32nm多晶硅(polycrystalline-Si/SiON)栅极制造工艺生产的半导体器件为测试对象,其核心器件(Core Device)工作电压是1.0V,外围器件(I/0device)工作电压是2.5V.实验结果显示,对比原有的基础工艺(Base Line),优化的SiN薄膜淀积工艺可以使NMOS的开关特性提高2-5％.核心NMOS的HCI寿命增加一倍,核心PMOS NBTI、I/O NMOS HCI和I/O PMOS NBTI与基础工艺条件的结果比较没有明显的退化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	简维廷		19	34	3.0	5.0
2	陈险峰		3	0	0.0	0.0
3	张彬		1	0	0.0	0.0