一种用于亚微米多晶栅TiSi电阻优化的方法

• 作者: 孙建洁 王敏妲 陈海峰
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化钛 多晶栅 掩蔽层
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 页码范围: 41-43,47
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 字数: 1771字
• 语种: 中文

摘要

在亚微米工艺中，多晶栅TiSi工艺是降低接触电阻的常用方法。但是TiSi的生长与衬底的掺杂浓度相关，对多晶栅的掺杂剂量有很高的要求。由于光刻工艺中存在的套刻偏差，使得后续源漏注入剂量会在多晶栅上有所偏差，影响了后续TiSi在多晶栅上的生长。文章采用多晶栅上生长一层LPCVD SiN作为掩蔽层的方法，避免了由于光刻套刻偏差引入的注入剂量偏差，改善了后续多晶栅上TiSi的生长。通过对As注入和P注入在不同SiN厚度掩蔽层下穿透率的研究发现40 nm左右基本可以阻挡95%的N+S/D As注入剂量而保留80%的多晶栅P注入剂量。该种掩蔽层方法有很多优点：源漏注入的条件不用更改；多晶栅注入的可调节剂量范围大大增加，可以更好地保持重掺杂多晶栅特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈海峰		10	3	1.0	1.0
2	王敏妲	江南大学物联网学院	1	0	0.0	0.0
3	孙建洁		3	5	2.0	2.0