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摘要:
通过倍频Nd∶YAG固体激光的基波得到波长分别为532、355和266 nm的激光,研究了单晶硅( Si)对不同波长固体激光的吸收规律和3种不同波长激光在真空条件下烧蚀单晶Si的烧蚀特征。结果表明,单晶Si 对波长为100~370 nm的紫外激光具有很好的吸收效果;在其他条件相同时,532 nm波长激光烧蚀单晶Si所需最低单脉冲能量( Ep =30μJ)是355和266 nm波长激光烧蚀单晶Si所需最低单脉冲能量(Ep =15μJ)的2倍;532、355和266 nm的激光烧蚀单晶Si的烧蚀阈值随着波长的变短而变小。
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文献信息
篇名 真空条件下不同波长固体激光烧蚀单晶硅的实验研究
来源期刊 中国光学 学科 工学
关键词 Nd∶YAG固体激光 激光波长 单晶硅 烧蚀阈值
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目 激光技术与应用
研究方向 页码范围 442-448
页数 7页 分类号 TN249
字数 4095字 语种 中文
DOI 10.3788/CO.20140703.0442
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 齐立涛 黑龙江科技大学机械工程学院 21 69 6.0 7.0
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中国光学
双月刊
2095-1531
22-1400/O4
大16开
吉林省长春市东南湖大路3888号
12-140
1985
chi
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