第一性原理研究Mn重掺杂对β-Ga2O3的电子结构和光学性能的影响

• 作者: 崔灿 李培刚 李延杰 王国锋 王顺利 钟丹霞
• 来源期刊: 浙江理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: β-Ga2O3 能带结构 光学性能 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 586-592
• 页数: 7页
• 分类号: O469|O471.5
• 字数: 4091字
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Mn重掺杂对β-Ga2O3物理性能的影响.建立了β-Ga2O3模型,用Mn原子部分替代Ga原子构建Ga2-xMnxO3的超胞模型,实现对β-Ga2O3的掺杂,分别对x等于0.0625、0.125和0.25的模型进行了几何结构优化,获得稳定的晶格结构和晶胞参数,并对它们的能带结构、态密度和光学性能等进行分析.计算结果表明:Mn掺杂后,禁带宽度减小,费米能级上移进入导带,增大了载流子浓度,提高了体系的电导率;介电函数的虚部有明显的变化;β-Ga2O3在400～700 nm的范围内,吸收系数和反射率均有不同程度的降低,与未掺杂的β-Ga2O3相比,能量损失谱的峰值发生了红移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李培刚	浙江理工大学光电材料与器件中心	20	32	3.0	4.0
2	王顺利	浙江理工大学光电材料与器件中心	12	10	2.0	2.0
3	崔灿	浙江理工大学光电材料与器件中心	16	10	2.0	2.0
4	钟丹霞	浙江理工大学光电材料与器件中心	3	1	1.0	1.0
5	李延杰	浙江理工大学光电材料与器件中心	3	1	1.0	1.0
6	王国锋	浙江理工大学光电材料与器件中心	4	1	1.0	1.0