InGaN／GaN 多量子阱太阳电池的光电性能研究

• 作者: 董少光 陈国杰
• 来源期刊: 广州大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN合金 多量子阱 太阳电池 光电性能
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 数学与物理学
• 页码范围: 18-22
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1311字
• 语种: 中文

摘要

对利用In含量为0．3的InGaN／GaN多量子阱制作的InGaN太阳电池的结构和光电性能进行了研究，该太阳电池的InGaN／GaN多量子阱结构在一定程度上减轻了InN和GaN相分离现象．研究结果显示，InGaN／GaN多量子阱结构的太阳电池，在单色光波长大于420 nm的工作条件下的光电性能有明显的改善．利用InGaN／GaN多量子阱结构制作的InGaN太阳电池，其开路电压约为2.0 V，填充因子约为60％，在波长420 nm时，外量子效率为40％，但在波长450 nm时，却只有10％．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董少光	佛山科学技术学院光电子与物理学系	24	34	3.0	5.0
2	陈国杰	佛山科学技术学院光电子与物理学系	59	280	9.0	14.0