第一性原理计算Ti掺杂CrSi2的光电特性

• 作者: 周士芸 张春红 谢泉 闫万珺 韦会敏
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Ti掺杂CrSi2 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 167-172
• 页数: 6页
• 分类号: O474|O481.1|O472+.3
• 字数: 2911字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2014.01.027

摘要

采用第一性原理方法对Ti掺杂CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数、反射谱、折射率和光电导率进行了计算,对Ti置换Cr原子后的光电特性变化进行了分析.结果表明:Ti置换Cr原子后,晶格常数a,b和c均增大,体积变大;Ti的掺入引入了新的杂质能级,导致费米能级插入价带中,Cr11 TiSi24变为p型半导体,带隙宽度由未掺杂时的0.38 eV变为0.082 eV,价带顶和导带底的态密度主要由Cr-d和Ti-d层电子贡献;与未掺杂CrSi2相比,Cr11 TiSi24的介电峰发生了红移,仅在1.33 eV处有一个峰,而原位于4.53 eV处的峰消失;吸收系数,反射率和光电导率明显降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢泉	贵州大学理学院	133	486	12.0	17.0
2	张春红	安顺学院物理与电子科学系	23	59	5.0	7.0
3	闫万珺	安顺学院物理与电子科学系	11	64	4.0	8.0
5	周士芸	安顺学院物理与电子科学系	30	82	5.0	6.0
8	韦会敏	安顺学院物理与电子科学系	1	5	1.0	1.0