稀土La掺杂CrSi2电子结构与光学性质的第一性原理研究

• 作者: 周士芸 张忠政 张春红 郭本华 闫万珺
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CrSi2 第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 原子分子物理交叉学科
• 页码范围: 652-656
• 页数: 5页
• 分类号: O474
• 字数: 3016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2014.04.026

摘要

基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对稀土 La掺杂 CrSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析.结果表明,La 掺杂后,CrSi2的晶格常数 a,b 和 c 均增大,晶格体积增大.La掺杂导致费米面进入价带,带隙明显变窄仅为0.07 eV；在费米面附近,La原子的5 d层电子态密度只占总态密度很小的一部分,而总态密度仍然由 Si 的3 p 层和 Cr 的3 d 层电子的分波态密度决定；La掺杂后CrSi2的静态介电常数ε1(0)由28.98增大为91.69,ε2(ω)的两个介电峰均向低能方向偏移且增强,光学吸收边向低能方向移动,吸收峰减小.计算结果为CrSi2材料掺杂改性的实验研究提供了理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭本华	安顺学院电子与信息工程学院航空电子电气与信息网络工程中心	8	20	3.0	4.0
2	张春红	安顺学院电子与信息工程学院航空电子电气与信息网络工程中心	23	59	5.0	7.0
3	张忠政	安顺学院电子与信息工程学院航空电子电气与信息网络工程中心	18	48	5.0	6.0
4	周士芸	安顺学院电子与信息工程学院航空电子电气与信息网络工程中心	30	82	5.0	6.0
5	闫万珺	安顺学院电子与信息工程学院航空电子电气与信息网络工程中心	30	66	5.0	7.0