空位缺陷对 CrSi2光电性能的影响

• 作者: 于立军 张忠政 张春红 邓永荣 闫万珺
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: CrSi2 空位缺陷 光电性能 第一性原理
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 物 理
• 页码范围: 561-567
• 页数: 7页
• 分类号: O474
• 字数: 2471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2015.03.39

摘要

采用第一性原理方法,计算含空位缺陷 CrSi2的电子结构和光学性质,并分析含 Cr 和Si 空位缺陷的 CrSi2光电性能.结果表明：Cr 和 Si 空位均使 CrSi2的晶格常数和体积变小；能带结构密集而平缓,且整体向上移动,Si 空位缺陷形成带隙宽度为0.35 eV 的 p 型间接带隙半导体,Cr 空位缺陷在原禁带间出现两条新的能带；含空位缺陷 CrSi2的电子态密度仍主要由 Cr 3d 层电子贡献,Si 空位缺陷对电子态密度的影响较小,Cr 空位缺陷提高了 Fermi 面处的电子态密度；与 CrSi2相比,含空位缺陷 CrSi2的介电峰均向低能方向略有偏移且峰值降低,吸收系数明显变小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张春红	安顺学院航空电子电气与信息网络工程中心	23	59	5.0	7.0
2	张忠政	安顺学院航空电子电气与信息网络工程中心	18	48	5.0	6.0
3	于立军	长春师范大学物理学院	27	62	4.0	7.0
4	邓永荣	安顺学院航空电子电气与信息网络工程中心	22	29	3.0	5.0
5	闫万珺	安顺学院航空电子电气与信息网络工程中心	30	66	5.0	7.0