Ti掺杂的CrSi2纳米薄膜的微结构和热电性能

• 作者: 孟雪 宋贵宏 柳晓彤 王亚明 贺春林 陈立佳
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CrSi2薄膜 电导率 迁移率 Seebeck系数
• 年，卷（期）: 2015,（8）
• 页码范围: 2112-2117,2122
• 页数: 7页
• 分类号: TN304
• 字数: 5438字
• 语种: 中文

摘要

利用高真空磁控溅射设备并顺序沉积Cr、Ti和Si层并随后在500℃真空退火6h,在Si(100)衬底上,获得不同Ti掺杂量的CrSi2薄膜.场发射扫描电镜观察表面形貌显示,沉积薄膜具有7～8 nm的晶粒且尺寸比较均匀,Ti含量增加,晶粒尺寸略有增加;X射线衍射谱显示沉积薄膜具有单一CrSi2点阵(111)晶面择优取向,在1.16at％到1.74at％的Ti含量范围内,随Ti含量的增加,CrSi2纳米薄膜的(111)择优取向的程度下降,同时,Ti含量增加,薄膜CrSi2点阵常数增加,这表明Ti在CrSi2晶体中以替位形式存在.随着Ti含量增加,沉积薄膜的霍尔系数降低,空穴浓度增加,同时薄膜空穴载流子的迁移率和Seebeck系数单调下降;受空穴浓度增加和迁移率降低的影响,随Ti含量增加,沉积薄膜电导率和功率因子呈现先增加达到最大值后又下降的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈立佳	沈阳工业大学材料科学与工程学院	127	664	13.0	19.0
2	宋贵宏	沈阳工业大学材料科学与工程学院	25	145	7.0	11.0
3	贺春林	沈阳大学辽宁省先进材料制备技术重点实验室	51	351	12.0	16.0
4	孟雪	沈阳工业大学材料科学与工程学院	3	2	1.0	1.0
5	王亚明	沈阳工业大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0
6	柳晓彤	沈阳工业大学材料科学与工程学院	2	2	1.0	1.0