化学气相沉积法制备Zn2GeO4纳米线及其发光性质的研究

• 作者: 周政 方芳 方铉 李金华 楚学影 王晓华 魏志鹏
• 来源期刊: 中国光学
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米线 化学气相沉积 Zn2GeO4 发光特性
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 光学功能材料
• 页码范围: 281-286
• 页数: 6页
• 分类号: TB383|O482.31
• 字数: 3002字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CO.20140702.0281

摘要

利用化学气相沉积法（ CVD），气-液-固（ VLS）生长法则在表面溅有金属Au催化剂层的1 cm ×1 cm的Si片上制备三元Zn2 GeO4纳米线。 X射线衍射仪（ XRD）测试结果表明，锌源与锗源质量比为8∶1时可成功制备出Zn2 GeO4纳米结构；扫描电子显微镜（SEM）测试结果表明，Zn2GeO4纳米线直径为100 nm，长度为10～11μm；光致发光（PL）测试结果表明，Zn2 GeO4纳米线在432和480 nm处具有两个发光峰，最后对其生长机理进行了分析。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李金华	长春理工大学理学院	43	136	6.0	9.0
2	方铉	长春理工大学理学院	37	60	4.0	6.0
3	魏志鹏	长春理工大学理学院	44	104	5.0	8.0
4	王晓华	长春理工大学理学院	54	156	7.0	9.0
5	方芳	长春理工大学理学院	11	63	4.0	7.0
6	楚学影	长春理工大学理学院	19	54	4.0	5.0
7	周政	长春理工大学理学院	3	5	1.0	2.0