器件效应数值模拟中漂移扩散模型的误差分析

• 作者: 夏洪富 宣春 李勇 王建国 谢海燕 贡顶
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 漂移扩散模型 半导体 数值模拟 误差分析
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 复杂电磁环境
• 页码范围: 233-238
• 页数: 6页
• 分类号: O441.4
• 字数: 5358字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.063204

摘要

为了确定数值模拟过程中的误差来源,并针对误差来源改进软件,减小计算误差,对半导体器件数值模拟中的采用的漂移扩散模型进行了研究.结合自主开发的半导体器件效应软件GSRES,分析了软件中漂移扩散模型的理论近似,对计算模型中由于温度分布、载流子复合/产生率、载流子迁移率等项采取近似而导致的误差进行了分析.根据误差分析和数值模拟算例,认为误差主要来自于器件内部温度场分布和迁移率模型的近似,给出了软件的适用范围.结合半导体器件的研究热点和发展趋势,对该模型中需要进行改进的近似项进行了分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王建国		123	908	14.0	23.0
3	谢海燕		10	58	3.0	7.0
6	李勇		12	49	3.0	6.0
7	宣春		9	77	3.0	8.0
8	夏洪富		8	58	3.0	7.0
9	贡顶		5	42	4.0	5.0