一种新型的自对准源漏接触技术

• 作者: 卢一泓 崔虎山 张琴 洪培真 贾宬 钟汇才
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 自对准源漏接触 金属侧墙 集成度 亚微米 前栅工艺 后栅工艺
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 328-332
• 分类号: TN305.6|TN305.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.05.008

摘要

提出了一种用于亚微米尺寸以下MOSFET器件的自对准源漏接触技术.这种新型的集成方法改变了传统的工艺步骤,即光刻接触孔,然后向里填充导电材料.在形成栅极、绝缘介质侧墙以及自对准金属硅化物以后,通过沉积金属膜层,并各向异性刻蚀以在绝缘介质侧墙两旁形成一对金属的侧墙结构.这个侧墙连接底部的源漏区和上部的互联区,作为底层的金属接触引出.这个方法不仅减小了刻蚀接触孔的难度,且采用自对准的方法形成金属接触也减小了源漏接触的距离,提高了集成度.这项工艺集成技术尝试应用于0.5 μm栅长MOSFET器件结构中,并仿真得到了良好的电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张琴	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	9	51	2.0	7.0
2	洪培真	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	1	1	1.0	1.0
3	崔虎山	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	1	1	1.0	1.0
4	卢一泓	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	1	1	1.0	1.0
5	贾宬	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	1	1	1.0	1.0
6	钟汇才	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	12	15	2.0	3.0