一种使MLC实现准SLC效能的方法

• 作者: 刘海銮 杜加友 樊凌雁 王维建
• 来源期刊: 杭州电子科技大学学报（自然科学版）
• 关键词: 闪存 多阶存储单元 对偶页
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 技术论文
• 页码范围: 84-87
• 页数: 4页
• 分类号: TP333.5
• 语种: 中文

摘要

FLASH存储器工艺已经普及到25 nm,并正在进军15 nm,其存储密度也从单阶存储单元提高到多阶存储单元.相比于单阶存储单元,多阶存储单元可以降低存储器的价格,但是存储性能会降低.提出了一种针对多阶存储单元器件编程的方法,该方法能够提高多阶存储单元的速度,且能够减少位错误率,从而获得接近单阶存储单元器件的性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜加友		9	55	5.0	7.0
2	樊凌雁		10	18	2.0	4.0
3	王维建		2	15	2.0	2.0
4	刘海銮		3	6	1.0	2.0