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摘要:
以碳化硅(silicon carbide,SiC)为主的第3代半导体技术突破了硅材料半导体器件在耐压等级、工作温度、开关损耗和开关速度上的极限,能够显著减少电力电子变换器的重量、体积、成本,提高电力电子系统的性能。一直以来,高功率密度电动汽车电力驱动系统一直是新一代大功率电动汽车发展的主要挑战,而宽禁带功率器件的应用,将对新一代电动汽车特别是混合电动汽车的发展产生重要影响。论文主要介绍SiC功率半导体器件的发展,对SiC器件在电动汽车中的研究现状与应用前景进行分析和展望,最后探讨SiC器件在电动汽车电力驱动系统应用中面临的主要问题。
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文献信息
篇名 宽禁带碳化硅功率器件在电动汽车中的研究与应用
来源期刊 中国电机工程学报 学科 工学
关键词 碳化硅 宽禁带 功率器件 电动汽车驱动系统
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目 电力电子与电力传动
研究方向 页码范围 371-379
页数 9页 分类号 TM92
字数 3560字 语种 中文
DOI 10.13334/j.0258-8013.pcsee.2014.03.007
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王学梅 华南理工大学电力学院 30 566 11.0 23.0
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研究主题发展历程
节点文献
碳化硅
宽禁带
功率器件
电动汽车驱动系统
研究起点
研究来源
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国电机工程学报
半月刊
0258-8013
11-2107/TM
大16开
北京清河小营东路15号 中国电力科学研究院内
82-327
1964
chi
出版文献量(篇)
16022
总下载数(次)
42
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572718
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