宽禁带碳化硅单晶衬底及器件研究进展

• 作者: 徐现刚 肖龙飞
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 物理气相传输法 功率器件 光导开关 器件失效
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 14-19
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.24|TN305
• 字数: 3149字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201931.190043

摘要

碳化硅作为第三代宽禁带半导体的核心材料之一,相对于传统的硅和砷化镓等半导体材料,具有禁带宽度大、载流子饱和迁移速度高,热导率高、临界击穿、场强高等诸多优异的性质.基于这些优良的特性,碳化硅材料是制备高温电子器件、高频大功率器件的理想材料.近年来在碳化硅材料生长和器件制备方面取得重大进展,对碳化硅材料特性和生长方法进行回顾,并研究了碳化硅光导开关偏压、触发能量、导通电流之间的关系,以及开关失效情况下电极表面的损伤情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
2	肖龙飞	山东大学晶体材料国家重点实验室	1	2	1.0	1.0