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摘要:
采用伪半固态触变成形工艺制备了40%、56%和63%三种不同SiC体积分数颗粒增强Al基电子封装材料,并借助光学显微镜和扫描电镜分析了材料中Al和SiC的形态分布及其断口形貌,测定了材料的密度、致密度、热导率、热膨胀系数、抗压强度和抗弯强度。结果表明,通过伪半固态触变成形工艺可制备出的不同SiC体积分数Al基电子封装材料,其致密度高,热膨胀系数可控,材料中Al基体相互连接构成网状,SiC颗粒均匀镶嵌分布于Al基体中。随着SiC颗粒体积分数的增加,电子封装材料密度和室温下的热导率稍有增加,热膨胀系数逐渐减小,室温下的抗压强度和抗弯强度逐渐增加。 SiC/Al电子封装材料的断裂方式为SiC的脆性断裂,同时伴随着Al基体的韧性断裂。
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半固态触变成形制备SiCp/Al电子封装复合材料的组织与性能
半固态触变成形
SiCp/Al复合材料
热导率
热膨胀系数
抗压强度
抗弯强度
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 伪半固态触变成形制备SiCp/Al电子封装材料的组织与性能
来源期刊 北京科技大学学报 学科 工学
关键词 电子封装 颗粒增强复合材料 触变成形 热导率 热膨胀 材料强度
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 冶金与材料
研究方向 页码范围 489-495
页数 7页 分类号 TN405
字数 4846字 语种 中文
DOI 10.13374/j.issn1001-053x.2014.04.011
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 果世驹 北京科技大学材料科学与工程学院 60 690 16.0 23.0
2 贾成厂 北京科技大学材料科学与工程学院 227 1841 21.0 26.0
3 刘俊友 北京科技大学材料科学与工程学院 67 485 12.0 19.0
4 李艳霞 北华航天工业学院材料系 20 95 7.0 8.0
5 郭明海 北京科技大学材料科学与工程学院 10 64 5.0 7.0
6 周洪宇 北京科技大学材料科学与工程学院 4 7 2.0 2.0
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