纳米级超快忆阻器

• 来源期刊: 光学精密机械
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米级 钙钛矿氧化物 功能材料 澳大利亚 研究人员 存储设备 稳定可靠 关键部件
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 17-17
• 页数: 1页
• 分类号: TM911.4

摘要

澳大利亚墨尔本皇家理工大学的科学家用非晶钙钛矿氧化物开发出一种纳米级超快忆阻器。研究人员称，这种新型忆阻器为高度稳定可靠的纳米级存储设备的发展提供了一个新的平台，今后有望成为制造人工大脑的关键部件。相关论文将作为封面文章发表在《先进功能材料》杂志上。 忆阻器也称记忆电阻，被认为是除电阻器、电容器及电感元件之外的第四种基本元件。其独特之处在于在关闭电源后，仍然能够“记住”先前从其中通过的电荷量，几组忆阻器在一起就具有与晶体管相同的功能。借助忆阻器，手机可以数周甚至更久的时间都不用充电，电脑将能够实现瞬间开机，与目前的闪存相比，忆阻器存取速度更快、耗能更少、体积更小。