In气氛退火对Cd0.9 Zn0.1Te材料电阻率的影响研究

• 作者: 何凯 华桦 盛锋锋 隋淞印
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 碲锌镉 电阻率 铟扩散 退火 扩散系数
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 846-849
• 分类号: TN305.4
• 语种: 中文

摘要

在不同温度条件下对Cd0.9Zn0.1Te晶片进行In气氛退火热处理,显著提高了Cd0.9Zn0.1Te材料的电阻率.通过实验测量和理论建模计算,得到了1 073、1 023和973 K条件下In原子在Cd0.9 Zn0.1Te晶片中的扩散系数分别为4.25×10-9 cm2·s-1、9.02×10-10 cm2·s-1和2.17×10-10 cm2·s-1,并且拟合出了1 073～973 K范围内扩散系数和温度之间的函数关系表达式D(T)=2.15×exp(-1.9/k0T)及频率因子D0等数据.最后,对实验结果进行了简要的对比和分析解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何凯	中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室	22	148	5.0	11.0
2	盛锋锋	中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室	3	6	1.0	2.0
3	隋淞印	中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室	3	6	2.0	2.0
4	华桦	中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室	3	5	1.0	2.0