3 GHz~5 GHz CMOS超宽带低噪声放大器分析与设计

• 作者: 唐江波
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 超宽带 低噪声放大器 二阶切比雪夫滤波器 带外抑制电容
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 电磁场与微波
• 页码范围: 238-241,265
• 页数: 5页
• 分类号: TN710|TN432
• 字数: 3400字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201402.0238

摘要

采用 TSMC公司的0.18μm CMOS工艺，设计了一款具有带外抑制功能的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)，电路基于窄带 PCSNIM LNA拓扑结构，并利用二阶切比雪夫滤波器和带外抑制电容代替传统输入匹配网络。电路由1.8 V直流电源供电，功耗约为11.5 mW。仿真结果表明，在3 GHz~5 GHz 的超宽带频段内，平均正向增益约为13.9 dB，输入、输出回波损耗 S11和 S22分别小于-13 dB和-15 dB，最小噪声系数仅为0.997 dB，三阶交调点 IIP3均值为5.40 dB。此外，反向隔离度S12和稳定性 StabFact1等性能指标也取得了不错的仿真效果。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐江波		5	2	1.0	1.0