石墨烯纳米带p-i-n结构太赫兹探测器的设计

• 作者: 温中泉 王祖英 袁伟青 高杨
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: 石墨烯 纳米带 太赫兹 探测器
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 992-995,999
• 分类号: O441.4
• 语种: 中文

摘要

研究了石墨烯纳米带横向p-i-n结构探测器对太赫兹波的响应特性,基于载流子输运方程和泊松方程,建立了考虑迁移、扩散、生成、复合等载流子运动的太赫兹探测器数学模型.根据该模型,对石墨烯纳米带横向p-i-n结构的太赫兹波响应进行了仿真,获得了反向栅压诱导生成的p-i-n二极管的能带图;进而探讨了纳米带宽度、i区长度及偏置电压对响应电流的影响,分析表明石墨烯纳米带带隙随宽度增大而减小,响应频率减小;i区长度与载流子寿命匹配时响应电流达到峰值;光电流随偏置电压的增大而增大,并趋于饱和.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高杨	中国工程物理研究院电子工程研究所	150	833	13.0	19.0
2	温中泉	重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室	26	365	12.0	18.0
3	王祖英	重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室	1	0	0.0	0.0
4	袁伟青	重庆大学新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室	1	0	0.0	0.0