CCD表面暗电流特性研究

• 作者: 王艳 钟玉杰 雷仁方 高建威
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: CCD 表面暗电流 界面态密度 温度 辐照
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 电子·电路
• 页码范围: 26-28,32
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.5
• 字数: 1824字
• 语种: 中文

摘要

针对电荷耦合器件表面暗电流的温度特性和辐照特性进行了研究.研究结果表明,在不同温度下,表面暗电流不仅是CCD总暗电流的主要来源,且是CCD暗电流非均匀性的主要影响因素;CCD栅介质的硅-二氧化硅界面态密度随辐照剂量的增加而增加,导致CCD表面暗电流显著增加,是CCD经辐照后暗电流变大的主要影响因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高建威	重庆光电技术研究所第一研究室	4	13	2.0	3.0
2	王艳	重庆光电技术研究所第一研究室	6	16	2.0	3.0
3	雷仁方	重庆光电技术研究所第一研究室	14	32	4.0	5.0
4	钟玉杰	重庆光电技术研究所第一研究室	6	8	1.0	2.0