ZnO过渡层对Au/Hg3In2Te6肖特基接触特性的影响研究

• 作者: 傅莉 刘淙元 李亚鹏 王晓珍
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Au/Hg3In2Te6 ZnO过渡层 肖特基势垒
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 页码范围: 1055-1060
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2985字
• 语种: 中文

摘要

利用脉冲激光沉积技术在Hg3In2Te6晶体表面制备ZnO过渡层,并对ZnO过渡层进行了表征.结合X射线光电子能谱深度剖析对ZnO/Hg3In2Te6界面元素的化合态进行研究,并通过半导体参数分析仪对Au/ZnO/Hg3In2Te6肖特基接触电学特性进行测试.研究结果表明,采用本实验条件可在Hg3In2Te6晶体表面获得结晶度高、表面粗糙度低,且沿(002)晶面择优生长的ZnO过渡层.同时,ZnO过渡层的引入使Au/Hg3In2Te6肖特基接触的漏电流降低一个数量级,势垒高度提高6.5％.这种现象可能是由于ZnO/Hg3In2Te6界面存在的互扩散使O原子占据了Hg原子空位,从而降低耗尽层中能级缺陷而引起.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅莉	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	75	535	14.0	20.0
2	李亚鹏	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	5	4	1.0	2.0
3	王晓珍	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	刘淙元	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	1	0	0.0	0.0