热处理对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响

• 作者: 姚明秋 杨杰 沈朝阳 王旭光 陈光焱
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO/Au 薄膜 压电特性 结构特性 退火
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 纳米材料研究
• 页码范围: 168-172
• 页数: 5页
• 分类号: TN124
• 字数: 322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201527.024133

摘要

通过射频磁控溅射在氧化硅片表面沉积ZnO/Au薄膜,并通过不同的热处理方式对薄膜进行退火.为了研究退火对ZnO/Au薄膜结构和压电特性的影响,采用X射线衍射分析(XRD)、光学显微镜、场发射扫面电镜(FESEM)和压电力分析仪对薄膜退火前后的材料特性进行了分析.研究发现,热处理能够改善ZnO/Au薄膜的结晶质量.特别是在氮气保护氛围下慢速退火后,薄膜结晶质量有明显改善.但是,热处理导致了薄膜的压电系数d33和d31降低.分析认为,热处理过程中Au原子在ZnO中的易迁移特性破坏了ZnO/Au薄膜的压电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈光焱	中国工程物理研究院电子工程研究所	23	219	10.0	13.0
2	王旭光	中国工程物理研究院电子工程研究所	6	27	3.0	5.0
3	姚明秋	中国工程物理研究院电子工程研究所	7	30	3.0	5.0
4	杨杰	中国工程物理研究院电子工程研究所	1	1	1.0	1.0
5	沈朝阳	中国工程物理研究院电子工程研究所	1	1	1.0	1.0