SiC单晶材料加工工艺研究进展

• 作者: 何雪莉 肖强
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC单晶 精密磨削 化学机械抛光 表面质量
• 年，卷（期）: 2014,（1）
• 所属期刊栏目: 材料综述
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TB321|TG580.68
• 字数: 3400字
• 语种: 中文

摘要

SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料,其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点,突出表现为加工效率低、表面质量不稳定等问题,因此SiC单晶片的高效低损伤加工技术成为研究的焦点.介绍了SiC单晶材料去除机理,总结了高效精密加工SiC单晶的工艺现状及发展趋势,这对于提高SiC单晶片加工技术和应用水平有重要的理论意义和实用价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖强	西安工业大学机电工程学院	23	175	7.0	12.0
2	何雪莉		6	29	4.0	5.0