基于简化电阻电容电路的单粒子效应应用研究

• 作者: 张民选 李鹏 王天琦 肖立伊 邓全
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子效应 软错误 简化电阻电容电路模型 临位翻转预测
• 年，卷（期）: 2014,（3）
• 所属期刊栏目: 高性能计算
• 页码范围: 420-425
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 3168字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2014.03.008

摘要

随着器件尺寸缩小至纳米级,微观粒子对半导体器件的影响变得越来越明显.器件可靠性的研究近年来逐渐引起了人们的重视,开展了很多相关研究.以研究单粒子翻转效应为核心,在传统混合仿真的基础上,采用简化RC电路模型对简化电路的应用进行研究,总结了电阻和电容值变化对等效电路中敏感节点处电学特性变化的规律,探究了使用Id-Vd曲线判断单粒子翻转的准确性,提出了在研究临位翻转时,通过单次实验即可有效预测临位翻转情况的方法.根据实验所得的电压电流曲线图形特点对它们进行分类,从而判断临位翻转.通过模拟实验与预测结果比对,两者的结果相符,预测有较高准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖立伊	哈尔滨工业大学航天学院	39	247	9.0	13.0
2	张民选	国防科学技术大学计算机学院	63	351	9.0	16.0
3	邓全	国防科学技术大学计算机学院	3	12	2.0	3.0
4	王天琦	哈尔滨工业大学航天学院	5	7	2.0	2.0
5	李鹏	国防科学技术大学计算机学院	9	53	4.0	7.0