退火时间对射频溅射p型透明SnO2/Al/SnO2导电薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响

• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: 脉冲激光沉积法(PLD) 透明导电氧化物(TCO) p型 多层 透射率
• 年，卷（期）: 2014,（z1）
• 页码范围: 129-133
• 页数: 5页
• 字数: 373字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(14)63299-4

摘要

采用SnO2和Al靶，通过射频(RF)溅射在石英基体上制备透明p型SnO2/Al/SnO2导电复合薄膜。沉积薄膜在500°C进行不同时间(1～8 h)退火处理，研究退火时间对SnO2/Al/SnO2复合薄膜结构、形貌、光学和电学性能的影响。X射线衍射结果表明：所制备的p型导电薄膜具有四方金红石型多晶SnO2结构。霍尔效应结果显示：500°C，1 h为最佳退火条件，该条件下SnO2/Al/SnO2复合薄膜的孔隙浓度为1.14×1018 cm-3、电阻率为1.38?·cm。退火时间为1～8 h时，p型SnO2/Al/SnO2复合薄膜的光透射率可达80%以上，退火1 h时薄膜的光透射率达到最大值。