基于低频噪声的薄膜电阻器可靠性表征方法

• 作者: 何亮 吴勇 杜磊 马中发
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 镍铬薄膜电阻器 低频噪声 老化试验 电迁移 可靠性
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 100-104,107
• 页数: 6页
• 分类号: TN451
• 字数: 3995字
• 语种: 中文

摘要

薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关.文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采集卡构建的测试系统测量了一组1.5 kΩ镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声,结合显微分析发现电迁移是薄膜电阻可靠性退化的主导机制,电迁移损伤发生前后低频噪声的幅值、频率指数和转折频率等参量均会发生异常波动.分析表明,低频噪声能更敏感地反映薄膜电阻的损伤程度,可作为此类器件可靠性无损的筛选依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	99	486	13.0	18.0
2	何亮	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	36	212	7.0	14.0
3	马中发	西安电子科技大学微电子学院	9	34	3.0	5.0
4	吴勇	西安电子科技大学微电子学院	11	64	5.0	8.0