镍铬薄膜电阻器噪声特性研究

• 作者: 仵建平 吴勇 庄奕琪 杜磊 魏文彦
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 镍铬薄膜电阻 低频噪声 1/f噪声 g-r噪声 噪声来源 电迁移
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 55-58,65
• 页数: 5页
• 分类号: TM54
• 字数: 4419字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2006.01.017

摘要

薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关.通过溅射工艺生产的阻值为1.5 kΩ镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1 000 h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理论探讨了器件中各种噪声成分的来源及产生机制并给出该镍铬薄膜电阻生产线降低噪声的工艺手段.并讨论了电迁移损伤对1/f 噪声特征的影响,指出噪声的异常波动对电迁移损伤具有明确的指示作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄奕琪	西安电子科技大学微电子学院	183	1168	15.0	22.0
2	杜磊	西安电子科技大学技术物理学院	99	486	13.0	18.0
3	吴勇	西安电子科技大学微电子学院	11	64	5.0	8.0
4	魏文彦	中国航天时代电子公司第七七一研究所	2	1	1.0	1.0
5	仵建平	西安电子科技大学技术物理学院	1	1	1.0	1.0