多频段功率可控的CMOS开关类功率放大器设计

• 作者: 刘昱 曾云 樊晓华 谌昊 颜永红
• 来源期刊: 计算机工程与应用
• 学科: 工学
• 关键词: 多频段 功率可控 金属氧化为半导体 开关类 功率放大器
• 年，卷（期）: 2014,（19）
• 所属期刊栏目: 理论研究、研发设计
• 页码范围: 42-46
• 页数: 5页
• 分类号: TN773|TN432
• 字数: 3076字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3778/j.issn.1002-8331.1311-0005

摘要

开关类功率放大器相对于传统的线性功率放大器有更高的效率，其中E类开关功率放大器由于其高效、易于实现等特点被广泛运用，但在低频率时E类功率放大器难以达到足够的输出功率和效率。设计实现的多频段开关功率放大器在高频段（433 MHz）采用E类匹配方式，在较低的频段（315 MHz、230 MHz）采用新颖的方波匹配。在Cadence软件平台下进行仿真及版图绘制，结果显示该多频段开关功率放大器各频段都实现了20 dBm的输出功率，漏极效率均达到40%，同时，通过控制晶体管尺寸，可以对输出功率进行数字控制。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学物理与微电子科学学院	102	899	13.0	27.0
2	颜永红	湖南大学物理与微电子科学学院	45	423	10.0	20.0
3	刘昱	中国科学院微电子研究所射频集成电路研究室	21	76	5.0	7.0
4	樊晓华	中国科学院微电子研究所射频集成电路研究室	12	22	3.0	3.0
5	谌昊	湖南大学物理与微电子科学学院	1	2	1.0	1.0