氧等离子体对GaN HEMT器件的影响

• 作者: 刘杰 杨兵
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 高电子迁移率晶体管(HEMT) 阈值电压 氧等离子体处理 跨导
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 学术交流
• 页码范围: 196-197
• 页数: 2页
• 字数: 2112字
• 语种: 中文

摘要

研究了不同条件下氧等离子体对GaN器件表面的影响。在合适的条件下，氧等离子体可以使AlGaN表面发生氧化，形成Al2O3薄氧化膜，提高肖特基势垒，从而降低GaN器件的阈值电压，提高器件导通电流。该结果可望用于更高性能AlGaN/GaN HEMT器件制备的应用中。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨兵	北方工业大学信息工程学院	20	30	3.0	4.0
2	刘杰	北方工业大学信息工程学院	7	10	2.0	3.0