高创新产品忆阻器技术机理探讨

• 作者: 于凌宇 刘夏飞
• 来源期刊: 工业技术创新
• 学科: 工学
• 关键词: 忆阻器 记忆元件 材料 结构 技术机理 科技革命
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 技术及创新
• 页码范围: 632-636
• 页数: 5页
• 分类号: TN60
• 字数: 5883字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14103/j.issn.2095-8412.2015.06.011

摘要

该文阐述了忆阻器的内涵，研究了其材料、结构及技术机理，探讨了它突破芯片技术极限，推动电子科技进步和电子工业腾飞的重大革命性和战略性意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于凌宇	河南大学濮阳工学院	9	3	1.0	1.0
2	刘夏飞		7	2	1.0	1.0