(Ga,Mn)As稀磁半导体的杂质动力学模拟研究

• 作者: 唐政 张玉光
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 掺杂 动力学蒙特卡罗
• 年，卷（期）: 2015,（20）
• 所属期刊栏目: 计算模拟
• 页码范围: 144-147
• 页数: 4页
• 分类号: O47
• 字数: 2440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.20.030

摘要

结合第一性原理计算和动力学蒙特卡罗模拟研究了稀磁半导体(Ga,Mn) As中Mn杂质的沉积动力学规律.利用第一性原理计算和爬坡弹性带方法计算了Mn杂质的跃迁势垒和结合能,并把这些能量作为动力学蒙特卡罗模拟(Ga,Mn) As微观结构演化的输入数据.结果表明在外延生长退火下长时间的微观结构演化的背后机制是Ga空位调节Mn原子在Ga子晶格上进行扩散.这种扩散会导致Mn原子的聚集,进而降低了居里温度.此外,随着退火温度的升高Mn团簇聚集的速率也更快.在高温退火下容易导致相分离.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐政	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	5	3	1.0	1.0
2	张玉光	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0