Mn掺杂GaN稀磁半导体的电磁特性研究

• 作者: 毋志民 王蒙 邓军权
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: Mn掺杂GaN 电子结构 磁性 第一性原理
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 129-134
• 页数: 6页
• 分类号: O649
• 字数: 3871字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2015.01.021

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法计算了不同浓度 Mn掺杂 GaN ( Ga1-x MnxN, x=0.0625和0.1250)的晶格常数、能带结构和态密度,分析比较了掺杂前后GaN的电子结构和磁性.结果表明：Mn掺入后体系仍为直接带隙半导体,带隙宽度随Mn含量的增加逐步增大. Mn掺杂GaN均使得N 2p与Mn 3d轨道杂化,产生自旋极化杂质带,自旋向上的能带占据费米面,掺杂后的Ga1-xMnxN表现为半金属铁磁性,适合自旋注入；随着Mn掺杂浓度的增加,体系的半金属性有所增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毋志民	重庆师范大学物理与电子工程学院	19	65	5.0	7.0
2	王蒙	重庆师范大学物理与电子工程学院	3	6	1.0	2.0
3	邓军权	重庆师范大学物理与电子工程学院	5	20	3.0	4.0