Fe掺杂GaN稀磁半导体材料研究

• 作者: 陈琳 陶志阔
• 来源期刊: 南京邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 金属有机物化学气相沉积 稀磁半导体 团簇
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 信息材料与光电器件
• 页码范围: 153-158
• 页数: 6页
• 分类号: O472.5|O471.4
• 字数: 3332字
• 语种: 中文

摘要

用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术生长出不同Fe掺杂浓度的GaN薄膜,并对其微观结构、表面形貌以及磁学性能进行了研究.对于低掺杂浓度的Fe掺杂GaN样品,X射线衍射和高分辨透射电镜均没有发现其他相物质存在；对于高浓度掺杂的样品,X射线衍射探测到了Fe单质和Fe3N存在.通过高分辨透射电镜图像,观察到了晶格中的Fe3N纳米团簇,并且发现团簇以Fe3N[0002]晶轴平行于GaN[0002]晶轴的方式存在于GaN晶格之中.同时,随着掺杂浓度的增高,薄膜表面粗糙度增加.磁学测量表明,不同掺杂浓度的样品都显现出明显的室温铁磁性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶志阔	南京邮电大学电子科学与工程学院	18	18	3.0	3.0
2	陈琳	南京邮电大学电子科学与工程学院	33	56	4.0	7.0