新型稀磁半导体 Mn 掺杂 LiZnAs 的第一性原理研究*

• 作者: 毋志民 王爱玲 王聪 胡爱元 赵若禺
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: Mn 掺杂 LiZnAs 电子结构 光学性质 第一性原理
• 年，卷（期）: 2013,（13）
• 页码范围: 137101-1-137101-9
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.137101

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,对纯 LiZnAs, Mn 掺杂的 LiZnAs, Li 过量和不足下 Mn 掺杂的 LiZnAs 体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、半金属性、光学性质及形成能.结果表明新型稀磁半导体 Li (Zn0.875Mn0.125) As, Li1.1(Zn0.875Mn0.125) As 和 Li0.9(Zn0.875Mn0.125) As 均表现为100%自旋注入,材料均具有半金属性, Li 过量和不足下体系的半金属性明显增强. Li 过量可以提高体系的居里温度,改善材料的导电性,使体系的形成能降低.说明 LiZnAs 半导体可以实现自旋和电荷注入机理的分离,磁性和电性可以分别通过 Mn 的掺入和 Li 的含量进行调控.进一步对比分析光学性质发现,低能区的介电函数虚部和复折射率函数明显受到 Li 的化学计量数的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡爱元	重庆师范大学物理与电子工程学院	14	32	4.0	5.0
2	毋志民	重庆师范大学物理与电子工程学院	19	65	5.0	7.0
3	王爱玲	重庆师范大学物理与电子工程学院	4	26	3.0	4.0
4	王聪	重庆师范大学物理与电子工程学院	8	15	2.0	3.0
5	赵若禺	重庆师范大学物理与电子工程学院	6	29	3.0	5.0