稀磁半导体 Crx Mn1-x Te 的第一性原理计算

• 作者: 徐强 杨光敏 邢光宗
• 来源期刊: 吉林大学学报（理学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 稀磁半导体 第一性原理 掺杂 磁性
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 物 理
• 页码范围: 762-766
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 1763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13413/j.cnki.jdxblxb.2015.04.31

摘要

根据 CrTe 和 MnTe 各种结构的稳定性,选取具有 NiAs 结构、岩盐结构和闪锌矿结构的 CrTe 为基本骨架,以 Mn 原子替换 Cr 原子形成掺杂的稀磁半导体 Crx Mn1-x Te。使用基于密度泛函理论的 VASP 软件包,计算其形成能、态密度和磁矩,并比较不同 x 值对性能的影响。结果表明,掺杂后3种结构的稳定性为 NiAs 结构>岩盐结构>闪锌矿结构；Mn 原子掺杂 NiAs 结构后,NiAs 结构发生向闪锌矿结构的相变,对闪锌矿结构掺杂未发生相变；3种结构的磁矩均随 Mn 原子的增多而增大。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐强	长春工程学院勘查与测绘工程学院	56	41	3.0	3.0
2	杨光敏	长春师范大学物理学院	51	78	4.0	7.0
3	邢光宗	吉林大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0