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摘要:
加载二极管的频率选择表面和能量选择表面(以下统称“自激励表面”)具有自适应的防护特征,能够防护强电磁攻击。二极管本身参数的测量是自激励表面设计中重要的环节,准确测得二极管特征参数对于设计出满足需求的防护表面至关重要。介绍传统去嵌入法,针对传统去嵌入法存在校准件制作精度要求高、相位延时有范围的缺点,改进了用于二极管参数测量的去嵌入算法;测量几种不同PIN型号的二极管,通过对比PIN参数手册与测试结果,验证了测试方法的有效性。
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文献信息
篇名 基于改进TRL校准算法的二极管参数测量
来源期刊 中国舰船研究 学科 交通运输
关键词 去嵌入法 PIN二极管测量 TRL校准算法
年,卷(期) 2015,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 121-124
页数 4页 分类号 U665.2
字数 2582字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-3185.2015.02.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘培国 国防科学技术大学电子科学与工程学院 36 366 8.0 18.0
2 刘晨曦 国防科学技术大学电子科学与工程学院 4 33 2.0 4.0
3 董雁飞 国防科学技术大学电子科学与工程学院 4 33 2.0 4.0
4 易波 国防科学技术大学电子科学与工程学院 6 66 3.0 6.0
5 杨成 国防科学技术大学电子科学与工程学院 7 43 3.0 6.0
6 李岩 1 1 1.0 1.0
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2015(1)
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研究主题发展历程
节点文献
去嵌入法
PIN二极管测量
TRL校准算法
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国舰船研究
双月刊
1673-3185
42-1755/TJ
大16开
湖北省武汉市张之洞路268号
2006
chi
出版文献量(篇)
1977
总下载数(次)
4
总被引数(次)
8939
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