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摘要:
本工作提出了脉冲激光沉积法生长 Cu2Se 热电材料薄膜中维持较高的激光切削能量密度对于实现薄膜与靶材成分等比例传输的重要性。使用较高的脉冲激光能量生长的Cu2Se薄膜具有纯的a-相,并具有与靶材相近的化学组分。这主要是因为较高的激光能量可以更加有效地引起等离子体对激光-固体直接作用的屏蔽,这可以使得靶材中的铜和硒元素的激光切削量更加接近靶材的化学计量比。由于硒具有较高的蒸汽压,降低激光能量会加强激光与固体的直接作用,从而更有效地切削硒元素,导致所沉积薄膜中产生铜缺陷。进一步讨论了所使用的氩气背景气体压力对于所生长的 Cu2Se 薄膜热电性能的影响。当使用高激光能量低背景气体压力时,所生长的薄膜具有最佳的热电性能。
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关键词热度
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文献信息
篇名 脉冲激光沉积中高能量密度激光密度对Cu2Se热电薄膜成分与性能的影响
来源期刊 无机材料学报 学科 工学
关键词 Cu2Se薄膜 脉冲激光沉积 热电 激光能量
年,卷(期) 2015,(10) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 1115-1120
页数 6页 分类号 TQ174
字数 707字 语种 中文
DOI 10.15541/jim20150197
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 史迅 中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院能量转换材料重点实验室 12 104 4.0 10.0
2 陈吉堃 中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院能量转换材料重点实验室 11 16 2.0 3.0
4 吕艳红 中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院能量转换材料重点实验室 2 20 2.0 2.0
7 李宇龙 中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院能量转换材料重点实验室 1 4 1.0 1.0
8 陈立东 1 4 1.0 1.0
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Cu2Se薄膜
脉冲激光沉积
热电
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研究起点
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相关学者/机构
期刊影响力
无机材料学报
月刊
1000-324X
31-1363/TQ
16开
上海市定西路1295号
4-504
1986
chi
出版文献量(篇)
4760
总下载数(次)
8
总被引数(次)
61689
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