激光能量对脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜性能的影响

• 作者: 曹培江 曾玉祥 贾芳
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 激光能量 脉冲激光沉积
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态电子器件
• 页码范围: 725-728
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 3008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.04.001

摘要

脉冲激光沉积技术(PLD)易于获得高质量的氧化物薄膜已成为一种重要的制备ZnO薄膜的技术.采用脉冲激光沉积(PLD)(KrF准分子激光器:波长248 nm,频率5 Hz,脉冲宽度20 ns)方法在氧气气氛中以高纯Zn(99.999%)为靶材、在单晶硅和石英衬底表而成功生长了ZnO薄膜.通过X射线衍射仪、表面轮廓仪、荧光光谱仪、紫外可见分光光度计对合成薄膜材料的晶体结构、厚度、光学性质等进行了研究,分析了激光能量变化对其性能的影响.实验结果表明我们使用PLD法可以制备出(002)结晶取向和透过率高于75%的ZnO薄膜,激光能量为450 mJ的ZnO薄膜的发射性能较好,但激光能量的增加不能改善薄膜的透光率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹培江	深圳大学材料学院	12	24	3.0	4.0
5	贾芳	深圳大学材料学院	9	34	3.0	5.0
9	曾玉祥	深圳大学材料学院	3	12	2.0	3.0