脉冲激光沉积法制备ZnO基薄膜研究进展

• 作者: 方晓东 董伟伟 陶汝华
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 激光技术 半导体材料 脉冲激光沉积法 ZnO基薄膜
• 年，卷（期）: 2006,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-9
• 页数: 9页
• 分类号: O484.1
• 字数: 8975字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2006.01.001

摘要

作为一种新型的Ⅱ-Ⅵ半导体材料,ZnO具有优良的光学和电学性能,在紫外光发射器件、自旋功能器件、气体探测器、表面声波器件等领域有着广阔的应用前景.首先介绍了ZnO材料和脉冲激光溅射法的一些相关内容,然后从材料制备角度着重阐述了目前利用脉冲激光沉积法(PLD)制备ZnO基薄膜的若干重要研究方向,例如p型掺杂、p-n结的制备、Mg掺杂、Cd掺杂和磁性离子掺杂等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶汝华	中国科学院安徽光学精密机械研究所	17	94	5.0	9.0
2	董伟伟	中国科学院安徽光学精密机械研究所	15	80	5.0	8.0
3	方晓东	中国科学院安徽光学精密机械研究所	73	301	9.0	13.0