CMP承载器背压发展历程

• 作者: 周国安 徐存良 李伟 詹阳
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械平坦化 背压 多区域控制 承载器 保持环
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 22-25
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 1347字
• 语种: 中文

摘要

随着集成电路（IC ）技术节点越来越严苛，对晶圆的局部和全局平整度提出了越来越高的要求，化学机械抛光技术（CM P）是满足晶圆表面形貌的关键技术。承载器是CM P 设备的关键部件，通过研究历代承载器的背压施加方式和区域压力控制方式对晶圆表面全局平整度的影响，发现随着技术节点的提高，承载器施加越来越多路背压且背压控制精度越来越高。因此，国产CM P 设备为了满足集成电路的严格要求，其承载器必须具备施加多区域背压，且控制精度越来越高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伟	中国电子科技集团公司第四十五研究所	71	74	5.0	5.0
2	周国安	中国电子科技集团公司第四十五研究所	13	43	4.0	6.0
3	詹阳	中国电子科技集团公司第四十五研究所	8	24	3.0	4.0
4	徐存良	中国电子科技集团公司第四十五研究所	5	18	3.0	4.0