晶体缺陷对多晶硅太阳电池反向漏电影响研究

• 作者: 刘仁中 张斌 李红波 陈文浩 黄红娜
• 来源期刊: 新能源进展
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 晶体缺陷 反向漏电 太阳电池
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 459-463
• 页数: 5页
• 分类号: TK514
• 字数: 1847字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-560X.2015.06.008

摘要

多晶硅太阳电池所使用的多晶硅材料往往因铸造过程中温度、应力等方面控制不佳,导致晶体缺陷形成.本文通过研究"黑丝"电池片以及点状烧穿电池片这两种在电学性能上表现为严重的反向线性漏电的异常电池片,对比观察其异常所处位置的表面及其解理断面的微观结构,发现导致这两种反向漏电现象出现的本质原因是由于其所处位置的硅片结构存在位错或其他晶体缺陷.这种由于晶体缺陷导致的反向漏电现象会使电池在工作过程中局部过热,给光伏发电系统带来巨大隐患.